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潛力無限的氧化鎵

在2002年5月， Lester F. Eastman和Umesh K. Mishra撰文談到了當(dāng)時功率半導(dǎo)體領(lǐng)域一項長期發(fā)展的技術(shù)：氮化鎵（GaN）。在那篇文章中，他們對氮化鎵在當(dāng)時新生的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及電網(wǎng)的電源開關(guān)應(yīng)用中中的前景表示了樂觀的看法。他們也將GaN器件稱為“迄今為止最堅固的晶體管”。他們是正確的。GaN的寬帶隙（使束縛的電子斷裂并促進(jìn)傳導(dǎo)所需的能量）和其他品質(zhì)使我們能夠利用這種材料的高電場耐受能力，從而使器件具有前所未有的性能。如今，GaN已成為固態(tài)射頻功率
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不只有光刻機(jī)，這五大半導(dǎo)體設(shè)備巨頭掌控了全球芯片制造的"咽喉要道"

在芯片的生產(chǎn)過程中，有一類企業(yè)雖然沒有直接參與，但卻對整個行業(yè)技術(shù)的發(fā)展起著關(guān)鍵性作用，它們就是半導(dǎo)體設(shè)備制造商。芯片的制造流程極其復(fù)雜，大致可以分為制備硅片、外延工藝、熱氧化、擴(kuò)散摻雜、離子注入、薄膜制備、光刻、刻蝕、工藝集成等。最廣為人知的荷蘭阿斯麥(ASML)就是主要生產(chǎn)光刻工藝的核心設(shè)備——光刻機(jī)。除此之外，刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、擴(kuò)散離子注入設(shè)備、濕法設(shè)備、過程檢測設(shè)備也是必不可少。正是通過這些設(shè)備制造商不斷研發(fā)生產(chǎn)先進(jìn)的設(shè)備，才使得芯片制造的效率效能大幅提高。目前，全球半導(dǎo)體設(shè)備
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2021年*“電子元器件缺貨調(diào)查”結(jié)果出爐：十大發(fā)現(xiàn)三個建言

為了深入了解電子元器件“歷史級缺貨”對企業(yè)的影響，電子發(fā)燒友的分析師和編輯先后走訪多家珠三角的企業(yè)和專家，作了一系列的報道。為了進(jìn)一步*深入地了解缺貨的真相，為產(chǎn)業(yè)的決策者們提供真實可靠的行業(yè)數(shù)據(jù)，<電子發(fā)燒友網(wǎng)>通過線上調(diào)研的方式，面向電子供應(yīng)鏈上下游開展了“2021年電子元器件缺貨調(diào)查”。歷經(jīng)十天、百萬級專業(yè)用戶的推廣，我們收集了足夠的用戶數(shù)據(jù)反饋，并整理了調(diào)研的結(jié)果。作為一個中立媒體，我們*時間向業(yè)界公開此次調(diào)研的結(jié)果，整理出本次調(diào)研的十大發(fā)現(xiàn)，以及分析師們對于調(diào)研結(jié)果分析之后理出的
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場效應(yīng)管的作用

場效應(yīng)管追求在幾乎絕緣的狀態(tài)下電流難以流動，從而產(chǎn)生巨大能量。而這種產(chǎn)生的能量被合理利用于各行各業(yè)。在正負(fù)極的加持上，電流通過，摩擦半導(dǎo)體材質(zhì)。說到場效應(yīng)管就不得不提起柵極電壓，它與柵極電壓息息相關(guān)。利用晶體管對電流的控制，決定電流輸出的大小，從而調(diào)節(jié)電壓的大小。有效便捷的解決了，高功率電器使用的難題。小小的零件也可以承受高電流，高電壓。一開始人們將這項新技術(shù)運用在高科技領(lǐng)域，在電子行業(yè)尤為顯著。它體積小，能量大，可以很好的隱藏在小型組件中。當(dāng)電流通過時，可以為部件提供大量能量。
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魏少軍教授獲頒ASPENCORE年度芯片設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新獎

2021年3月18日，由國際*技術(shù)媒體ASPENCORE在上海舉辦的2021年中國IC*峰會上，清華大學(xué)魏少軍教授獲頒“年度芯片設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新獎（Annual IC Design Technology Innovation Award）”。該獎項由會議組織者每年頒給在芯片設(shè)計技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的人物。今年，魏少軍教授獲得該獎項的原因是他和團(tuán)隊的“*的軟件定義芯片設(shè)計技術(shù)（The Pioneering Software Defined Chip Design Technologies）”。
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拆解報告：ANKER安克65W氮化鎵4口桌面PD快充充電器

ANKER在近期推出了一款名為PowerPort Atom 3 Slim 4口桌面充電器產(chǎn)品，具備4個USB輸出接口，可以同時輸出為4臺設(shè)備充電，能夠解決插線板插孔不夠、桌面凌亂等問題。同時，充電器內(nèi)部還運用了當(dāng)今最熱門的第三代半導(dǎo)體材料——GaN氮化鎵元，黑科技滿滿。此前充電頭網(wǎng)已經(jīng)為大家?guī)砹诉@款產(chǎn)品的評測，下面小編就繼續(xù)為大家分享這款充電器的拆解，看看里面具體用料如何。一、ANKER PowerPort Atom 3 Slim 4口氮化鎵桌面充電器外觀
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關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)的攻堅思考

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“痛點”主要在于對EDA工具和IP，半導(dǎo)體設(shè)備和材料的依賴，巨大的技術(shù)差距以及缺乏*的人才。因此，我們必須保持清醒，只要保留“痛點”，工業(yè)發(fā)展的“命脈”就掌握在他人的手中，不可避免地要經(jīng)受各種壓制。在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中，對大量設(shè)備進(jìn)口的依賴一直令人擔(dān)憂。美國經(jīng)常用它來勒索我們。但是，半導(dǎo)體設(shè)備和材料行業(yè)的突破非常困難，但不能被延遲。顯然，解決這些“痛點”并不是一天的工作，而且相當(dāng)困難，因為這相當(dāng)于在短時間內(nèi)挑戰(zhàn)西方在過去100年中積累的工業(yè)基礎(chǔ)。先入為主從芯
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mos管的地位

半導(dǎo)體金屬管的使用范圍十分廣泛，作為行業(yè)界的一大翹楚，mos管的地位毫無疑問。單獨的硅晶體管，相對脆弱，所以制作時會進(jìn)一行氧化膜保護(hù)。這層簡易的薄膜會讓外表光滑無缺，同時產(chǎn)生了一定弊端，缺少凹凸感，會導(dǎo)致傳導(dǎo)性變差，所以要帶氧化層上適當(dāng)?shù)拈_啟孔洞。然后重復(fù)以上操作，將晶體管變得厚實穩(wěn)重，確保傳導(dǎo)性的同時，不影響使用感。在如今現(xiàn)代化飛速發(fā)展的科技中，mos管也緊跟時代的步伐。在傳統(tǒng)工藝的原理上，通過，改良更新增加了幾項工藝。為了讓硅晶體管有更好的耐久年限，人們使用鈍化技術(shù)制作了防刮層。又為了減少空氣
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碳化硅功率器件技術(shù)可靠性之材料篇

前言碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關(guān)鍵的四個環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義，基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。 01 碳化硅晶錠生長及制備方法碳化硅有多達(dá)25
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閉環(huán)霍爾電流傳感器在變頻器中的應(yīng)用

摘要：介紹了霍爾效應(yīng)，分析了閉環(huán)式霍爾電流傳感器的工作原理及其主要特點產(chǎn)品特點與選型，研究分析了霍爾電流傳感器在變頻器中的典型應(yīng)用以及變頻器中的典型電流檢測電路，淺談其在變頻器中的典型應(yīng)用。 1.引言隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，電流檢測廣泛地應(yīng)用到工業(yè)控制領(lǐng)域，工業(yè)控制對電流檢測的精度和響應(yīng)速度的要求較高，同時希望與被檢測的對象實現(xiàn)完全隔離，霍爾電流傳感器很好地解決了這些問題。霍爾電流傳感器以其優(yōu)良的性能和精巧的結(jié)構(gòu)，已經(jīng)成為工業(yè)控制領(lǐng)域中電
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