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如何正確選擇mosfet場效應管

如何正確選擇mosfet 場效應管 ??場效應晶體管廣泛應用于模擬電路和數字電路，與我們的生活息息相關。場效應管的優點是：*，驅動電路相對簡單。場效應管所需的驅動電流比BJT的小得多，通常可以直接由CMOS或開路集電極TTL電路驅動。場效應晶體管的開關速度相對較快，由于沒有電荷存儲效應，可以以更高的速度工作。此外，場效應管沒有二次擊穿失效機制，在較高溫度下的耐久性更強，熱擊穿的可能性更低，在更寬的溫度范圍內也能提供更好的性能。場效應已廣泛應用于消費電子、工業產品、機電設備、智能手機等便攜式數字電子產品
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薩科微開關電源拓撲結構圖基礎型介紹（5）

要適當地選擇拓撲，熟悉不同拓撲的優缺點和應用領域非常重要。錯誤的選擇會讓飲食設計從一開始就注定失敗。開關電源拓撲結構大致給可總結為大概14種，其他的電源開關拓撲結構圖無外乎是這14種的組合或變形，下面整理了兩種基礎型拓撲結構圖幫助系統掌握每種電路結構的工作原理與基本特性。一、Half-Bridge 半橋特點： ■較高功率變換器極為常用的拓撲結構。 ■開關（FET）的驅動不同相，進行脈沖寬度調制（PWM）以調節輸出電壓。 ■*的變壓器磁芯利用率---
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薩科微關于基礎型開關電源拓撲結構圖的介紹（4）

市場上開關電源的拓撲結構圖是多種多樣的，但經過總結整理不難發現，其實無非就只有14種，其他的無外乎是這14種拓撲結構圖的組合或變形，接下來給大家分享兩種開關電源的拓撲結構圖。一、Forward 正激特點： ■降壓電路的變壓器耦合形式。 ■不連續的輸入電流，平滑的輸出電流。 ■因為采用變壓器，輸出可以大于或小于輸入，可以是任何極性。 ■增加次級繞組和電路可以獲得多個輸出。 ■在每個開關周期中必須對變壓器磁芯去磁。常用的做法是增加一個與初級繞組匝數相同的繞組
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MOS管和三極管的功能差異

MOS管和三極管的功能差異 ??MOS晶體管和三極管？的功能區別是什么這兩個元件本身可以看作是一個基本單元和一個獨立的器件。即使把外殼拆開，肉眼也看不出有什么區別，從工作原理上理解起來很混亂。 ??如果你用手同時觸摸 MOS管的G極(柵極)和正電源極，LED燈就會發光，即使你松開手，它也會繼續發光。至于為什么會出現這種情況，可以簡單理解為當G極的電位升高時，D極(漏極)和S極之間會形成一個導電通道(源極)，相當于一根導線。 ??導通時D極和S極之間的壓降也可以用萬用表量，計算，壓降接近
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什么是MOS管？MOS管的功能和特點又是什么呢?

什么是 MOS管？ MOS管的功能和特點又是什么呢? ??MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種基于場效應原理工作的半導體器件。與普通雙極型晶體管相比，FET具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗低、易于集成等特點，得到了越來越廣泛的應用。 ??場效應管 ??場效應晶體管有很多種，主要分為結型場效應晶體管和絕緣柵場效應晶體管，它們都有N溝道和P溝道。 ??柵極場效應管又稱金屬氧化物半導體場效應晶體管，簡稱MOSFET，分為耗盡型MOS晶體管和增強型MOS晶體管。 ??場效應晶體
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薩科微基礎型電源開關拓撲結構圖分享（3）

開關電源拓撲結構圖千變萬化，但不管如何變化基本是基于基礎型電源拓撲結構圖的組合或變形，基礎型開關電源拓撲結構圖歸納起來基本是14種，接下來就個大家做一下介紹。二、基本的脈沖寬度調制波形這些拓撲結構都與開關式電路有關，基本的脈沖寬度調制波形定義如下：八、Two-Transistor Forward雙晶體管正激特點： ■兩個開關同時工作。 ■開關斷開時，存儲在變壓器中的能量使初級的極性反向，使二極管導通。主要
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四個氮化鎵在新應用領域下的機遇！

2021年，隨著5G、消費電子、工業能源轉換和新能源汽車需求的增加，基站、換能器和充電站的需求將大幅增加，對氮化鎵和碳化硅饋線的需求將增加。據 TrendForce集邦咨詢研究顯示，GaN功率元件至2025年市場規模將達 13.2億美元，年復合成長率高達 94%。新應用下，氮化鎵的“革命”！與硅相比，GaN 具有寬帶隙、高電子飽和率、高擊穿場電場以及較低的傳導損耗和 EMF 特性。 GaN能源主要用于消費產品、新能源汽車、通信和數據中心。在碳達峰、碳中和的背景下，氮
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IGBT場效應管的工作原理和檢測方法

IGBT場效應管的工作原理和檢測方法 IGBT，又稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵場效應晶體管(MOS)組成的復合全控電壓驅動功率半導體器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。因此，它可以被視為金屬氧化物半導體輸入的達林頓晶體管。它結合了MOSFET高輸入阻抗和GTR低導通壓降的優點，具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高(10-40hz)等特點。它已逐漸取代晶閘管和門極關斷晶閘管(GTO)，是目前發展最快的新一代電力電子器件。廣泛應用于小體積高效
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IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？

IGBT單管和MOS管有哪些區別呢？怎么區別IGBT單管和MOS管呢？我們可以從以下三點進行分析。 1.結構上，以n型溝道為例，IGBT與MOS管的區別在于MOS管的襯底為n型，IGBT的襯底為p型。2.原則上， IGBT相當于 MOS管和雙極器件的組合。背面P型層的空穴注入降低了器件的導通電阻，但同時也會引入拖尾電流等問題。 3.從產品來看， IGBT一般用于高壓電源產品，從600伏到幾千伏不等； MOS管的應用電壓相對較低，從10伏到1000伏左右。公司電話
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薩科微分享比較常見的開關電源拓撲圖（2）

開關電源拓撲圖，作為電子工程師來說應該并不陌生，比較常見的基礎型拓撲圖大約14種，每種都有自身的特點和適用場合。另外還有更多的拓撲結構圖大多也是這些基礎型的組合或變形。以下分享兩種比較常見的，了解下它們電路結構的工作原理與基本特性。一、Buck 降壓特點： ■把輸入降至一個較低的電壓 ■可能是最簡單的電路 ■電感/電容濾波器濾平開關后的方波 ■輸出總是小于或等于輸入 ■輸入電流不連續 (斬波) ■輸出電流平滑二、Buck-Boos
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