薩科微碳化硅 SiC二極管和普通二極管的區別是什么?

二八八問|Slkor|

2025-03-06 19:10:27 854

薩科微的碳化硅 SiC 二極管和普通二極管存在多方面區別，具體如下：

1)材料與結構

普通二極管：通常由硅等傳統半導體材料制成，一般為PN結結構，通過P型半導體和 N 型半導體的結合形成電流的單向導通特性。

碳化硅二極管：采用碳化硅材料制作，其原子結構和化學鍵特性賦予了碳化硅二極管獨特的性能，常見的有肖特基勢壘二極管結構和 PiN 二極管結構等。

2)電學性能

反向恢復特性：

普通二極管：反向恢復時間較長，尤其是普通的 PN 結二極管，在從正向導通轉為反向截止時，會有較大的反向恢復電流，且反向恢復時間通常在幾十納秒到幾百納秒之間，這會導致在高頻開關電路中產生較大的開關損耗和電磁干擾。

碳化硅二極管：反向恢復時間極短，基本可視為零反向恢復電荷，能快速地從導通狀態切換到截止狀態，大大提高了開關速度和頻率，可顯著降低開關過程中的能量損耗和電磁干擾，例如在高頻通信基站的電源模塊中應用廣泛，能有效提升系統的性能和可靠性。

正向電壓降：

普通二極管：正向電壓降相對較低，一般在 0.5V-1V 左右，且其正向電壓降隨溫度升高而降低，這使得在一些低電壓、小電流的電路中，普通二極管能夠較好地滿足需求。

碳化硅二極管：正向電壓降通常比普通二極管略高，但在高電壓、大電流應用中，其正向電壓降的影響相對較小，并且碳化硅二極管的正向電壓具有正溫度系數，即隨著溫度升高，正向電壓會略微增加，這一特性有利于多個二極管的并聯使用，可自動實現電流的均流。

擊穿電壓：

普通二極管：普通硅二極管的擊穿電壓一般在幾十伏到幾百伏之間，難以滿足一些高電壓應用場景的需求。

碳化硅二極管：具有更高的擊穿電壓，可達 1200V 及以上，能夠承受更高的反向電壓，在高壓電路中具有明顯優勢，可廣泛應用于高壓直流輸電、電力機車牽引等高電壓領域。

3)熱學性能

工作溫度：

普通二極管：普通硅二極管的最高工作溫度一般在 150℃左右，當溫度超過此范圍時，其性能會顯著下降，甚至可能損壞。

碳化硅二極管：具有*的高溫穩定性，最高工作溫度通常可達 175℃甚至更高，能夠在更高的溫度環境下正常工作，減少了散熱系統的負擔和成本，特別適用于一些高溫環境下的應用，如汽車發動機艙內的電子控制單元等。

導熱系數：

普通二極管：硅的導熱系數相對較低，普通二極管在工作時產生的熱量較難散發出去，限制了其在高功率、高頻率工作條件下的性能和可靠性。

碳化硅二極管：碳化硅的導熱系數是硅的 3.3 倍左右，約為 49 W/cm?K，*的熱導率使得二極管在工作時產生的熱量能夠更快速地散發出去，有利于提高其在高功率、高頻率工作條件下的穩定性和可靠性，同時也有利于縮小散熱裝置的體積，降低系統的整體成本。

4)應用領域

普通二極管：廣泛應用于各種低頻、低功率的電子電路中，如整流電路、限幅電路、檢波電路等，常見于消費電子產品、家用電器、小型電子設備等，滿足一般的信號處理和電源轉換需求。

碳化硅二極管：由于其高電壓、大電流、高頻、高溫等特性，主要應用于新能源汽車、電力電子、軌道交通、航空航天等對功率器件性能要求較高的領域，如電動汽車的電機驅動系統、充電樁、智能電網的功率變換設備、飛機的電源管理系統等。

薩科微有碳化硅SiC二極管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢復功率二極管等高端產品，可滿足新能源汽車、高端裝備、通訊電力、太陽能光伏、醫療設備、工業互聯網等行業需求；薩科微通用型產品有肖特基二極管、 ESD靜電保護二極管、TVS瞬態抑制二極管等通用二極管和三極管，功率器件有高中低壓的MOS管、可控硅、橋堆等，和電源管理芯片LDO、AC-DC、DC-DC 芯片系列、還有傳感器、高速光耦、晶振等為客戶提供配套服務，在智能手機、手提電腦、機器人、智慧家居、物聯網、LED照明、3C數碼、智能穿戴品、萬物智聯等產品上面廣泛應用！薩科微的兄弟公司——金航標，產品銷往* 各地，服務超一萬家客戶，產品有北斗GPS雙模天線、藍牙、WiFi、Zigbee、 NB-IoT、LORA、UWB、天線系列，及配套的射頻轉接線；現在產品拓展到板與線的各種連接器、板端座子、接插件、信號開關系列；及汽車摩托車線束，工業、醫療、科研用特種線材，非標定制品等三大系列，與薩科微一起為電子整機產品公司提供配套服務。

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