一文讀懂功率半導體

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2022-03-17 07:15:53 2

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方正科技·研究框架：

顯示面板周期 l 網(wǎng)絡安全框架 l 攝像頭框架 l ODM l 小米

OLED l 射頻芯片 l RISC·V l 半導體設備 l 5G l 華為深度

半導體制造 l 功率半導體 l 互聯(lián)網(wǎng)框架 l 科技藍籌 l 5G

半導體·深度系列：

聞泰科技 l 韋爾股份 l 兆易創(chuàng)新 l 卓勝微 l 中微 l 三安

北方華創(chuàng) l 匯頂科技 l 紫光 l 長電 l 圣邦 l 瀾起 l 京東方

立訊 l 鵬鼎 l 領(lǐng)益 l 大族 l 傳音 l 樂鑫 l 光峰 l 華興 l 安集

計算機·深度系列：

納思達 l 南洋股份 l 安恒信息 l 神州數(shù)碼 l 中國長城

中國軟件 l 金山辦公 l 用友網(wǎng)絡 l 浪潮信息 l 恒生電子

WPS l 同花順 l 衛(wèi)寧健康 l 海康 l 大華 l 金山軟件 l 工富

北方華創(chuàng)·深度系列：

北方VS中微之一 l 北方VS中微之二 l 北方華創(chuàng)185頁 l 中微

北方三大拐點 l 晶圓廠投資研究 l 北方估值之謎 l 設備三劍客

功率半導體屬于泛模擬電路的賽道。功率半導體是必選消費品，人需要吃“柴米油鹽”，機器同樣也需要消耗功率器件，任何和電能轉(zhuǎn)換有關(guān)地方都需要功率半導體。行業(yè)波動符合大宗商品走勢規(guī)律，產(chǎn)品和全球GDP走勢密切相關(guān)，4-5年的行業(yè)波動非常吻合半導體周期規(guī)律。

單機硅含量提升推動行業(yè)發(fā)展，更高效率更好性價比推動技術(shù)發(fā)展。需求來自各行各業(yè)，單機半導體（硅）含量的提升是核心規(guī)律。所有技術(shù)進步都指向，1）更高的功率 2）更小的體積 3）更低的損耗 4）更好的性價比。參與競爭的主流廠商都是IDM模式，1）規(guī)模化前提下的質(zhì)量品質(zhì) 2）每年各個產(chǎn)品成本優(yōu)化情況下的效率提升。

材料的突破帶來行業(yè)往更深入發(fā)展。產(chǎn)品形態(tài)從單一的二極管，MOS管向融合的IGBT發(fā)展，從硅襯底往寬禁帶半導體襯底邁進。更寬的禁帶使得產(chǎn)品性能和效率遠勝于硅襯底的功率器件，目前只是性價比方面還不是太有優(yōu)勢。未來趨勢隨著化合物半導體制造的成本降低，憑借其優(yōu)勢替代硅基的功率半導體器件指日可待。

高附加值產(chǎn)品長期被歐美廠商壟斷，國產(chǎn)替代迫在眉睫。國內(nèi)IDM模式廠很少，核心的工藝都在歐美廠商自己內(nèi)部，憑借其產(chǎn)品優(yōu)勢控制交貨周期，從而掌控整個行業(yè)的價格體系。尤其對于高壓的MOS以及大功率的IGBT，產(chǎn)品的交貨周期往往在50周以上，價格自2016年起基本都處于上升通道。

IDM模式更具優(yōu)勢，fabless擴張更迅猛。2020年投資機會來自于半導體周期復蘇上行3-4年大周期環(huán)境中，IDM模式的企業(yè)比fabless在成本端上更有優(yōu)勢，建議關(guān)注相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈標的：聞泰科技（600745），捷捷微電（300623），揚杰科技（300373）,臺基股份（300046），華微電子（600360），斯達半導（603290）,新節(jié)能（A18105），華潤微電子（A19303）。

風險提示

1）芯片國產(chǎn)替代進度低于預期；

2）集成電路行業(yè)政策支持力度變?nèi)酰?

3）國外半導體設備公司禁運設備給國內(nèi)公司。

半導體功率器件指具有單一功能的電路基本元件，主要實現(xiàn)電能的處理與變換。

二極管結(jié)構(gòu)簡單，但只能整流使用，不可控制導通、關(guān)斷。功率三極管、晶閘管等電流控制型開關(guān)器件。MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點。

功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發(fā)電設備產(chǎn)生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉(zhuǎn)換調(diào)制變成擁有特定電能參數(shù)的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。

在分立器件發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。

20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。

20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來；

20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。

20世紀90年代，超結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn)，打破傳統(tǒng)“硅限”以滿足大功率和高頻化的應用需求。

2008年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率MOSFET，半導體功率器件的性能進一步提升。

對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。

近年來，功率半導體的應用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。根據(jù)IHS Markit預測，2018年全球功率器件市場規(guī)模約為391億美元，預計至 2021年市場規(guī)模將增長至441億美元，年化增速為4.1%。

目前國內(nèi)功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導體消費國，2018年市場需求規(guī)模達到138億美元，增速為9.5%，占全球需求比例高達 35%。預計未來中國功率半導體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021年市場規(guī)模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。

市場研究機構(gòu)IC Insights 指出在各類半導體功率器件組件中，未來增長最強勁的產(chǎn)品將是MOSFET 與IGBT 模塊。

MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，具有導通電阻小，損耗低，驅(qū)動電路簡單，熱阻特性好等優(yōu)點，特別適合用于電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS電源等電源控制領(lǐng)域。

2016年，全球MOSFET市場規(guī)模達到62億美元，預計2016年至2022年間MOSFET市場的復合年增長率將達到3.4%；預計到2022年，全球MOSFET市場規(guī)模將接近75億美元。

根據(jù)IHSMarkit的統(tǒng)計，2018年我國MOSFET市場規(guī)模為27.92億美元，2016年-2018年復合年均增長率為15.03%。隨著全球新能源汽車規(guī)模的增長，2016年至2022年間MOSFET在汽車應用領(lǐng)域的市場需求預計將以5.1%的復合年增長率快速增長；到2022年，其在汽車應用領(lǐng)域的需求將超越計算機和數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域，占總體需求市場的22%。

IGBT是由雙極型三極管（BJT）和MOSFET組成的復合全控型電壓驅(qū)動式半導體功率器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和雙極型三極管（BJT）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點，IGBT驅(qū)動功率小而飽和壓降低，非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等。

根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，到2020 年全球IGBT 單管市場空間達到60 億美元左右，市場空間巨大。預計未來五年我國新能源汽車和充電樁市場將帶動200億元IGBT 模塊的國內(nèi)市場需求。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)數(shù)據(jù)，到2018年，國內(nèi)IGBT 市場規(guī)模達161.9 億元，2010 年至2018 年復合增長率達到14.77%；但我國IGBT 起步晚，未來進口替代空間巨大。

半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等，幾乎用于所有的電子制造業(yè)，包括計算機、網(wǎng)絡通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)電子等電子產(chǎn)業(yè)。此外，新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等新興應用領(lǐng)域逐漸成為半導體功率器件的重要應用市場，從而推動其需求增長。全球功率半導體市場中，工控占比34%，汽車23%，消費電子占比20%，通信占比23%。

根據(jù)美國消費電子協(xié)會統(tǒng)計，2013年中國消費電子市場整體規(guī)模達到16,325億元，成為全球最大的消費電子市場，根據(jù)2017年3C行業(yè)報告，2017年中國消費電子市場將突破2萬億，預計增長7.1%。

手機上所有有接口的地方都需要有ESD保護，比如麥克風、聽筒、耳機、揚聲器、SIM卡、Micro SD、NFC天線、GPS天線、WiFi天線、觸屏、2G/3G/4G RF 天線、USB 接口、鋰電池、電源鍵位置都有ESD保護器件。最多的手機用20多顆，少的用10多顆。

隨著人們對充電效率的要求逐步提高，手機充電出現(xiàn)了“快充”模式，即通過提高電壓來達到高電流高功率充電，但高電壓存在安全隱患，需要添加同步整流的MOS管來調(diào)整；

后來出現(xiàn)較為安全的“閃充”模式，即通過低電壓高電流來實現(xiàn)高速充電，這對同步整流MOS管的要求更高，目前較為普遍的是GaN FET，它可以實現(xiàn)發(fā)熱少、體積小的目的。

汽車電子在汽車中占據(jù)著十分重要的地位，從成本結(jié)構(gòu)來看，對于中高端汽車、電動汽車等其重要性更高。

從傳統(tǒng)汽車轉(zhuǎn)變到新能源汽車，價值量增長最大的就是功率半導體。傳統(tǒng)燃油汽車中，功率半導體主要用在啟動、停止和安全等領(lǐng)域，占比只有20%，按照傳統(tǒng)汽車中半導體單車價值350美元，功率器件價值在70美元。新能源汽車電池動力模塊要用大量的電力設備，電力設備中都含有有功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比40%，純電動汽車的功率器件占比55%，按照純電動汽車半導體單車價值750美元計算，功率半導體單車價值量在413美元。新能源汽車用功率半導體是傳統(tǒng)汽車的7倍。

新能源汽車由于不再需要發(fā)動機等機械部件，汽車的結(jié)構(gòu)將變得非常的簡單，汽車結(jié)構(gòu)主要由電池，電機和電控組成。新能源汽車電子系統(tǒng)主要包括電池管理系統(tǒng)，電機控制器，車載充電機，變換器，逆變器，轉(zhuǎn)向系統(tǒng)，繼電器以及被動元器件。

在實際應用場景中，由于汽車各個模塊都使用交流電，鋰電池的輸入電流是直流電，以及各種電氣設備電壓不同，這樣就需要相應的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。根據(jù)直流（DC）和交流（AC）轉(zhuǎn)換順序不同，電力轉(zhuǎn)換分為4種模式：變壓器（AC-AC）、整流器（AC-DC）、變換器（DC-DC）和逆變器（DC-AC）。

變壓器（AC-AC）：汽車鋰電池的輸入電壓在12V-36V之間，民用電壓是220V，將民用電壓轉(zhuǎn)化為輸入電壓就需要變壓器。

整流器（AC-DC）：鋰電池需要用直流（DC）電充電，而充電樁提供的是交流（AC）電，所以車載充電器一定要用直流轉(zhuǎn)換器。

變換器（DC-DC）：輸入是來自于鋰電池的固定直流（DC）電壓，輸出是可變直流（DC）電壓。電動汽車中主要應用在電力傳動的從300V到650V的升壓變換，給12V電路供電的降壓變換以及電池儲能的穩(wěn)壓變換。

逆變器（DC-AC）：新能源汽車配置可充電的鋰電池，通過其儲備的電能驅(qū)動電機來給汽車供電。逆變器的作用是將充電電池12V的直流（DC）電轉(zhuǎn)換成為驅(qū)動電機220V的三相交流（AC）電，為新能源汽車提供基本驅(qū)動力。

2014-2021年全球燃油車年銷量由 8700多萬輛增長至 9800多萬輛，年均增速 2%；新能源汽車（包括純電動和混動）由27 萬輛增長至470 萬輛，年均增速50%，其滲透率從2014年僅有0.3%增長至2021年的4.0%。

近年來我國新能源汽車產(chǎn)銷量大幅增長，滲透率不斷提高。根據(jù)中國乘聯(lián)會數(shù)據(jù)顯示，我國新能源乘用車銷售量由 2014 年的 10 萬輛，快速增長至 2018年的 125 萬輛，年復合增速91%。根據(jù)中汽協(xié)數(shù)據(jù)，2019年一季度中國的新能源汽車銷售25萬輛，同比增幅都超過117%，預計今年新能源汽車產(chǎn)量可能會超過160萬輛。

汽車功率半導體市場有望達到80億美元，年復合增速7%。2018年全球汽車銷量9750萬輛，其中新能源汽車200萬輛，假設未來三年傳統(tǒng)燃油汽車銷量年增幅2%，新能源汽車銷量年增幅30%，傳統(tǒng)燃油汽車功率半導體單車價值量56美元，混合動力汽車的功率半導體單車價值240美元，純電動汽車的功率半導體單車價值413美元。由此可以預測，到2022年燃油汽車銷量9920萬輛，新能源汽車銷量580萬輛，汽車功率半導體市場有望達到80億美元，年復合增速7%。

截至2017年底，我國光伏發(fā)電新增裝機5,306萬千瓦，累計裝機容量1.3億千瓦，新增和累計裝機容量均為全球*，其中光伏電站3,362萬千瓦，同比增加11%；分布式光伏1,944萬千瓦，同比增長3.7倍。

風力發(fā)電的逆變設備，可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應管與電源變壓器為核心，通過模擬電路技術(shù)連接的。2016年至2018年，我國風電裝機量從18.73GW增至21GW，2019年僅前5個月裝機量就新增6.88GW，增長趨勢迅猛。

智能電網(wǎng)的各個環(huán)節(jié)，整流器、逆變器和特高壓直流輸電中的FACTS柔性輸電技術(shù)都需要大量使用IGBT等功率器件。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)發(fā)布的數(shù)據(jù)，預計到2021年我國智能電網(wǎng)行業(yè)投資規(guī)模將達到近23000億元。

功率半導體種類眾多，廣泛應用在消費電子、高鐵、汽車和電網(wǎng)等。主要分為單極型和雙極型。雙極型：功率二極管、晶閘管、BJT（雙極性三極管）、電力晶體管（GTR）、IGBT。單極型：MOSFET，肖特基二極管。根據(jù)每個細分產(chǎn)品的物理性能不同，不同的功率器件應用于不同的電壓和頻率領(lǐng)域。

功率二極管是基礎(chǔ)性功率器件，結(jié)構(gòu)簡單可靠性強，廣泛應用于工業(yè)、電子等各個領(lǐng)域，起到穩(wěn)壓、整流和開關(guān)的作用。

二極管分為整流二極管，齊納二極管和高頻二極管。

其中整流二極管和齊納二極管屬于功率半導體。

整流二極管主要用作整流、開關(guān)、變換（肖特基二極管SBD）和逆變（快恢復二極管FRD）作用。

MOSFET是功率器件的細分產(chǎn)品，即MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應來控制半導體（S）的場效應晶體管。

功率 MOSFET 器件是電能轉(zhuǎn)換和控制的核心半導體器件。功率MOSFET器件工作速度快，故障率低，開關(guān)損耗小，擴展性好。適合低壓、大電流的環(huán)境，要求的工作頻率高于其他功率器件。

在汽車里主要用在電源系統(tǒng)里的充電器（AC-DC）和變換器（DC-DC）。全球汽車功率MOSFET市場容量2018年24.5億美元，我們預計2022年市場容量31.6億美元。其中主要用到的是電壓600V以上的高壓MOSFET產(chǎn)品。

MOSFET市場主要份額被英飛凌占據(jù)，根據(jù)HIS數(shù)據(jù)，英飛凌市所有產(chǎn)品綜合占率27%，第二名是安森美13%，瑞薩9%，而在價值量高的高壓MOSFET領(lǐng)域，英飛凌更是以36%的市占率*所有對手。

IGBT作為一種新型電力電子器件，是國際上公認的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是工業(yè)控制及自動化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)*調(diào)控的目的。因此，IGBT被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域。

IGBT自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來發(fā)展迅速，不僅在工業(yè)應用中取代了MOSFET和GTR，甚至已擴展到SCR及GTO占優(yōu)勢的大功率應用領(lǐng)域，還在消費類電子應用中取代了BJT、MOSFET等功率器件的許多應用領(lǐng)域。

在汽車應用中，IGBT主要用在高電壓環(huán)境的電力驅(qū)動系統(tǒng)，電源系統(tǒng)和充電樁。應用范圍一般都在耐壓600V 以上，電流 10A 以上，頻率 1KHz 以上的區(qū)域。

電力驅(qū)動系統(tǒng)：主要用在逆變器（DC-AC）中，將充電電池12V的直流（DC）電轉(zhuǎn)換成為驅(qū)動電機220V的交流（AC）電，是電機驅(qū)動的核心。電機控制系統(tǒng)需要用到幾十個IGBT，比如特斯拉的三相交流異步電機，每相用28個IGBT，累計84個，其他電機12個IGBT，特斯拉總共用到96個IGBT。

電源系統(tǒng)：主要用在車載充電器（AC-DC）和變換器（DC-DC）中，實現(xiàn)鋰電池充電和所需電壓等級的電源變換。

充電樁：電網(wǎng)的電都是交流（AC）電，而充電樁分類快充的直流充電樁和慢充的交流充電樁，IGBT主要用在直流快充的充電樁。

2018年全球汽車IGBT市場容量18.4億美元，我們預計2020年汽車IGBT市場容量20.8億美元。

全球IGBT市場中英飛凌，三菱和富士電機處于*位置，安森美（仙童）主要集中在低壓的消費電子行業(yè)，電壓在600V以下，而中高壓1700V以上領(lǐng)域，主要應用在高鐵，汽車，智能電網(wǎng)等，基本被英飛凌，ABB和三菱壟斷。

2020年投資機會來自于半導體周期復蘇上行3-4年大周期環(huán)境中，IDM模式的企業(yè)比fabless在成本端上更有優(yōu)勢，建議關(guān)注相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈標的：聞泰科技（600745），捷捷微電（300623），揚杰科技（300373）,臺基股份（300046），華微電子（600360），斯達半導（603290）,新節(jié)能（A18105），華潤微電子（A19303）。

風險提示

1）芯片國產(chǎn)替代進度低于預期；

2）集成電路行業(yè)政策支持力度變?nèi)酰?

3）國外半導體設備公司禁運設備給國內(nèi)公司。

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