IGBT主要企業匯總！

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2022-03-17 07:05:49 6

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什么是IGBT

所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。

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簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等

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目前，士蘭微5英寸、6英寸芯片生產線已穩定運行，8英寸芯片生產線也順利投產，陸續完成了高壓BCD、超薄片槽柵IGBT、超結高壓MOSFET、高密度溝槽柵 MOSFET、快回復二極管、MEMS傳感器等工藝的研發。
華微電子
官網：http://www.hwdz.com.cn/
吉林華微電子股份有限公司成立于1999年，集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體，官網信息顯示其擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導體分立器件及IC芯片生產線，芯片加工能力為每年400萬片，封裝資源為24億只/年，模塊360萬塊/年。今年4月，華微電子擬募投8英寸生產線項目，600V-1700V各種電壓、電流等級IGBT芯片是該項目的重點之一。
華潤微
官網：https://www.crmicro.com/
華潤微電子即原中航（重慶）微電子有限公司，集半導體設計、研發、制造與服務一體化，以功率半導體器件、功率/模擬集成電路為產業基礎，面向工業電子、消費電子、汽車電子、5G通訊市場。具備功率器件、GaN、MEMS傳感器等技術開發和制造平臺。
華潤微擁有國內*條全內資8英寸專注功率器件晶圓生產線，月產能5.1萬片，工藝能力0.18微米，以及一條8英寸特種工藝生產線。目前該公司已啟動12英寸晶圓生產線及相關配套封測線建設規劃，主要生產MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導體產品。
揚杰科技
官網：http://www.21yangjie.com/
揚州揚杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月，致力于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展，主營產品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等。
據了解，在IGBT方面揚杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產線已經量產IGBT芯片，主要應用于電磁爐等小家電領域。揚杰科技在互動平臺上表示，2018年度，公司IGBT芯片實際產出近6000片。
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模組

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上；IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。

上海陸芯電子科技

聚焦于功率半導體（IGBT、SJMOS & SiC）的設計和應用，包括芯片、單管和模塊。具有以下優勢：通過優化耐壓終端環，實現IGBT高阻斷電壓，有效減少芯片面積，達到工業級和汽車級可靠性標準；通過控制少子壽命，優化飽和壓降和開關速度；實現安全操作區（SOA）和短路電流安全操作區域SCSOA性能最優；改善IGBT有源區元胞設計可靠性，抑制IGBT的閂鎖效應；調節背面減薄、注入、退火、背金等工藝；實現60um~180um晶圓厚度的大規模量產。

江蘇東海半導體

江蘇東海半導體科技有限公司成立于2004年12月，注冊資金5330萬元，現有員工325人，是一家設計研發及封裝測試半導體功率器件高新技術企業，我司共投資2.8億人民幣，與我司合作的芯片制造廠投資600億人民幣，我們公司通過了ISO90001質量體系認證、ISO140001環境管理體系認證和TS16949質量管理體系認證，并先后獲得無錫市高新技術企業認證和*高新技術企業認證，產品榮獲無錫市知名商標及江蘇省*商標，是*工商總局認定的守合同重信用企業。江蘇東海半導體科技集多項實用專利和發明專利于一身，已經申請各項發明和實用新型專利合計近百項，并授權獲江蘇省科技部門審批成立江蘇省工程技術研究中心，是中國最有競爭力的半導體封測企業之一。

江蘇東海半導體科技有限公司始終致力于提升產品品質，在封裝、測試設備、封裝工藝、以及材料選擇上，保持與國際先進水平一致。公司配有ASM自動固晶機、ASM自動焊線機、自動切筋設備、自動測試分選機等設備。公司不斷加大對集成電路、功率器件封裝的研發投入，在生產加工過程中始終貫徹嚴格的品質管控體系。公司自成立以來，產品根據不同客戶要求符合ROHS和Halogen Free環保認證。公司主要封裝TO251、TO252、TO263、TO220、TO220F、TO3P、TO247、SOT、QFN系列。產品系列：MOSFET ,肖特基二極管，快恢復二極管，可控硅，三端穩壓，IGBT。

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深圳芯能半導體技術有限公司成立于2013年，由深圳正軒科技、深圳*、深圳人才創新基金、達晨創投、方廣資本、廈門獵鷹等知名機構聯合投資，致力于IGBT芯片、IGBT驅動芯片以及大功率智能功率模塊的研發、應用和銷售。
目前芯能聚焦600V和1200V中小功率IGBT產品，IGBT單管、IPM、IGBT模塊和HVIC四個領域都有完善的產品序列，產品性能國內*。
嘉興斯達
官網：http://www.powersemi.cc/
嘉興斯達半導體股份有限公司成立于2005年4月，是一家專業從事功率半導體元器件尤其是IGBT模塊研發、生產和銷售服務的*級高新技術企業，其主要產品為功率半導體元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC等，已成功開發近600種IGBT模塊產品，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600A。
在技術方面，嘉興斯達已開發出平面柵NPT型1200V全系列IGBT芯片和溝槽柵場中止650V、750V、1200V及1700V全系列IGBT芯片，解決了包括8英寸晶圓減薄技術、背面高能離子注入技術、背面激光退火激活技術以及溝槽柵挖槽成型技術等關鍵工藝技術。
宏微科技
官網：http://www.macmicst.com/
宏微科技股份有限公司成立于2006年8月，立足于電力電子元器件行業，業務范圍包括設計、研發、生產和銷售新型電力半導體芯片、分立器件及模塊，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、標準模塊及用戶定制模塊(CSPM)，并提供高效節能電力電子裝置的模塊化設計、制造及系統的解決方案。
2018年，宏微科技與北汽新能源成立宏微－北汽新能源IGBT聯合實驗室，計劃從芯片設計到模塊設計與封裝再到電機控制器設計與生產，聯合打造電機控制器產業鏈。宏微科技年報顯示，2018年其電動汽車用IGBT模塊在SVG行業應用中逐步放量，同時客戶定制化產品也開始批量銷售。

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IGBT技術發展歷史

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官網：http://www.ncepower.com/
無錫新潔能股份有限公司成立于2013年，主營業務為MOSFET、IGBT等半導體功率器件的研發設計及銷售，主要產品按照是否封裝可分為芯片和封裝成品，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等領域。
目前，無錫新潔能的主要產品包括12V~200V溝槽型功率MOSFET（N溝道和P溝道）、30V~300V屏蔽柵功率MOSFET（N溝道和P溝道）、500V~900V超結功率MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。

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達新半導體官網：http://www.daxin-semi.com/ 寧波達新半導體有限公司成立于2013年，是以海歸博士為主創立的一家中外合資的高科技公司，主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導體芯片與器件的設計、制造和銷售，擁有IGBT、MOSFET和FRD等功率半導體芯片的設計和工藝集成技術，建有IGBT產品性能測試、應用及可靠性試驗室，擁有一條測試和制造手段完備IGBT模塊研發生產線。

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先進半導體官網：http://www.asmcs.com/ 上海先進半導體制造股份有限公司，前身為1988年由中荷合資成立的上海飛利浦半導體公司，擁有5英寸、6英寸、8英寸晶圓生產線，專注于模擬電路、功率器件的制造，自2004年開始提供IGBT國內、外代工業務。上海先進2008年在國內建立IGBT背面工藝線，具備IGBT正面、背面、測試等完整的IGBT工藝能力，IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V，技術能力包括PT、NPT、Field Stop，以及平面、溝槽IGBT等。其6英寸晶圓廠專注于平面IGBT和FRD工藝平臺，電壓覆蓋1200V~6500V，8英寸晶圓廠專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺，電壓覆蓋450V~1700V。

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華潤上華官網：http://www.csmc.com.cn/ 無錫華潤上華科技有限公司隸屬于華潤集團旗下負責半導體業務的華潤微電子有限公司。華潤上華向客戶提供廣泛的晶圓制造技術，包括BCD、Mixed-Signal、HV CMOS、RFCMOS、Embedded-NVM、BiCMOS、Logic、MOSFET、IGBT、SOI、MEMS、Bipolar等標準工藝及一系列客制化工藝平臺。
華潤上華擁有國內最大的6英寸代工線和一條8英寸代工線，6英寸月產能逾11萬片，八英寸生產線目前月產能已達3.5萬片，未來整體月產能規劃為6萬片，制程技術將提升至0.11微米。IGBT方面，華潤上華于2012年已宣布開發完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工藝平臺。
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國內IGBT產業鏈主要公司及主要產品

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