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隨著5G的快速發展， RF半導體設計者都在挖空心思為5G系統尋找新材料和新設計/架構。

圖1：5G系統需要新的半導體材料。  
 
  由于5G使用不同的高頻頻段來實現高速數據傳輸，因此5G RF前端模塊所需要的功率放大器、濾波器、開關、LNA和天線調諧器的需求量倍增，速度之快令人措手不及。對于智能手機設計者來說，龐大的零部件數量（其中許多仍是獨立部件）很讓人頭疼，他們必須將所有這些RF模塊全部塞到一部5G手機里。  
  5G智能手機開發商也擔心RF器件的質量、散熱和能效問題，因為這些都可能降低RF前端模塊的性能。  
  “因此，越來越多的RF芯片設計公司都在尋找新的材料和襯底，以滿足5G RF的嚴格要求。”Soitec公司CEO Paul Boudre先生表示，利用SOI技術，可為這些新興領域提供價格低、性能好、可靠性高的方案。

Soitec已經在SOI晶圓方面取得了巨大成功，準備進軍化合物材料的新世界來擴展其業務。Boudre提到，Soitec計劃為芯片廠商“開發、制造和提供基于Soitec工程襯底的新材料”。Soitec研發的新材料包括：  
 

壓電絕緣體(POI)工程襯底——用于生產高性能表面聲波(SAW)濾波器組件，主要針對4G和5G新無線電(NR)波段。

硅基氮化鎵(GaN-on-Si)和碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片。Soitec去年收購了位于比利時的Imect子公司EpiGaN，獲得了外延片開發和制造技術。通過將EpiGaN融入到公司中，同時購買必要的工具，Soitec計劃進入需求龐大的5G GaN功率放大器市場。

Soitec將于今年開始交付碳化硅（SiC）晶圓樣品，這是基于其Smart Cut專有技術而開發的。

Soitec的Smart Cut工藝可讓Soitec工程師指定材料，并從這些材料上生長單晶層，然后將這些生長層從一個襯底轉移到另一個襯底。這樣就有可能形成晶圓片的活性層，獨立于支撐機械基底進行控制管理。  
  Soitec公司CEO Paul Boudre先生已確認參加2020年11月5日在深圳舉辦的ASPENCORE第三屆“全球CEO峰會”（點擊查看峰會介紹與報名），屆時將發表主題為《優化襯底賦能邊緣計算》的精彩演講。  
    ASPENCORE 第三屆全球雙峰會依然選擇在全球包容性最強的深圳舉辦，邀請全球電子行業話語性最強的領袖人物聚集一堂，與全行業與會嘉賓和觀眾分享碰撞最熱門的技術話題，助力電子行業從業者把握市場未來。  
   
 

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